Infineon Technologies AIMBG75R027M1HXTMA1
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AIMBG75R027M1HXTMA1
1211-AIMBG75R027M1HXTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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AIMBG75R027M1HXTMA1
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AIMBG75R027M1HXTMA1详情
Infineon Technologies AIMBG75R027M1HXTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件包装
PG-TO263-7
Power Dissipation (Max)
273W (Tc)
Qualification
AEC-Q101
厂商
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
64A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5.6V @ 8.8mA
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
CoolSiC™
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25mOhm @ 24.5A, 20V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1668 pF @ 500 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
49 nC @ 18 V
漏源电压 (Vdss)
750 V
Vgs(最大值)
+23V, -5V
职系
汽车
AIMBG75R027M1HXTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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