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1

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10

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500

￥42.761554
1000

￥40.34109

Infineon Technologies AIMBG75R090M1HXTMA1

Name: AIMBG75R090M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-AIMBG75R090M1HXTMA1
Price: 50.93 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AIMBG75R090M1HXTMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-AIMBG75R090M1HXTMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AIMBG75R090M1HXTMA1

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AIMBG75R090M1HXTMA1 Infineon Technologies AIMBG75R090M1HXTMA1

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AIMBG75R090M1HXTMA1详情

技术参数

Infineon Technologies AIMBG75R090M1HXTMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件包装

PG-TO263-7
厂商

Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 20V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max)

128W (Tc)
Qualification

AEC-Q101
系列

CoolSiC™
包装

Tape & Reel (TR)
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
零件状态

活跃
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

83mOhm @ 7.4A, 20V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

542 pF @ 500 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15 nC @ 18 V
漏源电压 (Vdss)

750 V
Vgs（最大值）

+23V, -5V
职系

汽车

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