Infineon Technologies AIMZH120R080M1TXKSA1
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AIMZH120R080M1TXKSA1
1211-AIMZH120R080M1TXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-4
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SIC_DISCRETE
--最小包装量--
AIMZH120R080M1TXKSA1详情
Infineon Technologies AIMZH120R080M1TXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-247-4
安装类型
通孔
供应商器件包装
PG-TO247-4-11
Qualification
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)
169W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5.1V @ 3.3mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
厂商
Infineon Technologies
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
100mOhm @ 10A, 20V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
671 pF @ 800 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24 nC @ 20 V
漏源电压 (Vdss)
1200 V
Vgs(最大值)
+23V, -5V
T代码
31A (Tc)
职系
汽车
AIMZH120R080M1TXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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