Infineon Technologies AUIRFS4127TRL
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AUIRFS4127TRL
1211-AUIRFS4127TRL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
--最小包装量--
AUIRFS4127TRL详情
Infineon Technologies AUIRFS4127TRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
72A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
375W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
FAST SWITCHING, ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 44A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5380pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
150nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
72A
漏极-源极导通最大电阻
0.022Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
300A
DS 击穿电压-最小值
200V
雪崩能量等级(Eas)
250 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AUIRFS4127TRL拓展信息
Infineon Technologies
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