Infineon Technologies AUIRLL024N

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 3.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.6nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准