Infineon Technologies AUIRLR120NTRL

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

48W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

已出版

2015

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

185m Ω @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±16V

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10A

漏极-源极导通最大电阻

0.225Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant