Infineon Technologies AUIRLR2905TRL

工厂交货时间

13 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2014

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±16V

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

42A

漏极-源极导通最大电阻

0.03Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant