Infineon Technologies AUIRLS3114Z
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AUIRLS3114Z
1211-AUIRLS3114Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
1最小包装量--
AUIRLS3114Z详情
Infineon Technologies AUIRLS3114Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
56A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
143W Tc
Turn Off Delay Time
43 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 100μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2015
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
配置
Single
功率耗散
143W
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.9m Ω @ 56A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3617pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
53nC @ 4.5V
上升时间
271ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
60 ns
连续放电电流(ID)
56A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AUIRLS3114Z拓展信息
Infineon Technologies
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