AUIRLSL3036
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Infineon Technologies AUIRLSL3036

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型号

AUIRLSL3036

utmel 编号

1211-AUIRLSL3036

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 270A TO262

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AUIRLSL3036 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 270A TO262

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AUIRLSL3036详情

Infineon Technologies AUIRLSL3036重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

  • 供应商器件包装

    TO-262

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    195A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    380W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 功率耗散

    380W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.4mOhm @ 165A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    11210pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    140nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±16V

  • 连续放电电流(ID)

    195A

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 输入电容

    11.21nF

  • 漏源电阻

    1.9mOhm

  • 最大rds

    2.4 mΩ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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