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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.969726
500
¥0.713033
1000
¥0.594194
2000
¥0.545128
5000
¥0.509471
10000
¥0.473925
15000
¥0.458342
50000
¥0.45068
Infineon Technologies BAS116E6433HTMA1
- 收藏
- 对比
BAS116E6433HTMA1
1211-BAS116E6433HTMA1
二极管 - 整流器 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BAS116E6433HTMA1详情
Infineon Technologies BAS116E6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BAS116
资历状况
不合格
元素配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
5nA @ 75V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 150mA
正向电流
250mA
工作温度 - 结点
150°C Max
平均整流电流(Io)
250mA DC
最大反向电压(DC)
80V
平均整流电流
250mA
反向恢复时间
1.5 μs
最大重复反向电压(Vrrm)
85V
电容@Vr, F
2pF @ 0V 1MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BAS116E6433HTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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