Infineon Technologies BG5412K
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BG5412K
1211-BG5412K
集成电路(IC)
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BG5412K详情
Infineon Technologies BG5412K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BG5412K
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Risk Rank
5.75
Drain Current-Max (ID)
0.025 A
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
40
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.025 A
DS 击穿电压-最小值
12 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
最高频段
超高频段
BG5412K拓展信息
Infineon Technologies
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