Infineon Technologies BGA231N7E6330XTSA1
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BGA231N7E6330XTSA1
1211-BGA231N7E6330XTSA1
射频放大器
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BGA231N7E6330XTSA1 datasheet pdf and RF Amplifiers product details from Infineon Technologies stock available at utmel
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BGA231N7E6330XTSA1详情
Infineon Technologies BGA231N7E6330XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
6
Operating Temperature (Max.)
85°C
Operating Temperature (Min.)
-40°C
Power Dissipation (Max)
72mW
Usage Level
Industrial grade
无铅代码
yes
结构
COMPONENT
频率
-1.615GHz
通道数量
1
最大电源电压
3.6V
测试频率
1.575GHz
工作电源电流
4.4mA
增益
16 dB
射频/微波器件类型
窄带低功耗
特性阻抗
50Ohm
噪声图
0.75 dB
P1dB
-5 dBm
RoHS状态
符合RoHS标准
BGA231N7E6330XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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