BGA535N6E6327XTSA1
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Infineon Technologies BGA535N6E6327XTSA1

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型号

BGA535N6E6327XTSA1

utmel 编号

1211-BGA535N6E6327XTSA1

商品类别

射频放大器

封装

PG-TSNP-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ

起订量

1最小包装量--

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BGA535N6E6327XTSA1
BGA535N6E6327XTSA1 Infineon Technologies RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ

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BGA535N6E6327XTSA1详情

Infineon Technologies BGA535N6E6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    PG-TSNP-6

  • RoHS

    Details

  • NF - Noise Figure

    0.9 dB

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • P1dB - Compression Point

    - 14 dBm

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 105 C

  • Country of Assembly

    Not Available

  • Country of Diffusion

    Not Available

  • Country of Origin

    DE

  • Input Return Loss

    9.5 dB

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    12000

  • Part # Aliases

    BGA 535N6 E6327 BGA524N6 SP006038300

  • 包装

    Reel

  • 工作频率

    1.164 GHz to 1.615 GHz

  • 工作电源电压

    1.1 V to 3.3 V

  • 通道数量

    1 Channel

  • 工作电源电流

    1.5 mA

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BGA535N6E6327XTSA1.

BGA535N6E6327XTSA1拓展信息

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