Infineon Technologies BGA715N7E6330XTSA1
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BGA715N7E6330XTSA1
1211-BGA715N7E6330XTSA1
射频放大器
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大陆
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BGA715N7E6330XTSA1 datasheet pdf and RF Amplifiers product details from Infineon Technologies stock available at utmel
1最小包装量--
BGA715N7E6330XTSA1详情
Infineon Technologies BGA715N7E6330XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
Power Dissipation (Max)
36mW
包装
Tape & Reel
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
最大电源电压
3.6V
射频/微波器件类型
窄带低功耗
RoHS状态
符合RoHS标准
BGA715N7E6330XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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