BGA715N7E6330XTSA1
BGA715N7E6330XTSA1

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Infineon Technologies BGA715N7E6330XTSA1

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型号

BGA715N7E6330XTSA1

utmel 编号

1211-BGA715N7E6330XTSA1

商品类别

射频放大器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BGA715N7E6330XTSA1 datasheet pdf and RF Amplifiers product details from Infineon Technologies stock available at utmel

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BGA715N7E6330XTSA1详情

Infineon Technologies BGA715N7E6330XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • Power Dissipation (Max)

    36mW

  • 包装

    Tape & Reel

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 最大电源电压

    3.6V

  • 射频/微波器件类型

    窄带低功耗

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BGA715N7E6330XTSA1.

BGA715N7E6330XTSA1拓展信息

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BGM15HA12E6327XTSA1
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BGA416E6327HTSA1
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BGA427H6327XTSA1
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