BGA751L7E6327XTSA1
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Infineon Technologies BGA751L7E6327XTSA1

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型号

BGA751L7E6327XTSA1

utmel 编号

1211-BGA751L7E6327XTSA1

商品类别

射频放大器

封装

6-XFDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Amp Chip Single GP 960MHz 3V 6-Pin TSLP EP T/R

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BGA751L7E6327XTSA1
BGA751L7E6327XTSA1 Infineon Technologies RF Amp Chip Single GP 960MHz 3V 6-Pin TSLP EP T/R

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BGA751L7E6327XTSA1详情

Infineon Technologies BGA751L7E6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-XFDFN Exposed Pad

  • Operating Temperature (Max.)

    85°C

  • Operating Temperature (Min.)

    -30°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 附加功能

    低噪音

  • 电压 - 供电

    2.6V~3V

  • 结构

    COMPONENT

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    800MHz 900MHz

  • 测试频率

    800MHz

  • 电流源

    3.3mA

  • 增益

    15.8dB

  • 射频/微波器件类型

    窄带低功耗

  • 射频类型

    UMTS

  • 输入功率-最大(CW)

    4dBm

  • 特性阻抗

    50Ohm

  • 噪声图

    1.05dB

  • P1dB

    -5dBm

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技术文档: Infineon Technologies BGA751L7E6327XTSA1.

BGA751L7E6327XTSA1拓展信息

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BGM15HA12E6327XTSA1
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BGA416E6327HTSA1
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