Infineon Technologies BGB717L7ESDE6327
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BGB717L7ESDE6327
1211-BGB717L7ESDE6327
射频放大器
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IC AMP MMIC LN TSLP7-1
1最小包装量--
BGB717L7ESDE6327详情
Infineon Technologies BGB717L7ESDE6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
6
Power Dissipation (Max)
100mW
包装
Digi-Reel®
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
结构
COMPONENT
频率
108MHz
工作电源电压
4V
测试频率
100MHz
电流源
3mA
增益
12 dB
射频/微波器件类型
窄带低功耗
特性阻抗
50Ohm
噪声图
1 dB
P1dB
-5.5 dBm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
BGB717L7ESDE6327拓展信息
Infineon Technologies
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