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Infineon Technologies BGB717L7ESDE6433

Name: BGB717L7ESDE6433
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BGB717L7ESDE6433
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BGB717L7ESDE6433

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BGB717L7ESDE6433

商品类别

射频放大器

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

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ROHS

ECAD

简介

BGB717L7ESDE6433 datasheet pdf and RF Amplifiers product details from Infineon Technologies stock available at utmel

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BGB717L7ESDE6433详情

技术参数

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Infineon Technologies BGB717L7ESDE6433重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
引脚数

6
Power Dissipation (Max)

100mW
包装

Tape & Reel
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
结构

COMPONENT
频率

108MHz
工作电源电压

3V
电源电流

25mA
电流源

25mA
增益

12 dB
射频/微波器件类型

窄带低功耗
特性阻抗

50Ohm
噪声图

1 dB
P1dB

-5.5 dBm
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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