Infineon Technologies BS7067N06LS3G
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BS7067N06LS3G
1211-BS7067N06LS3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
1最小包装量--
BS7067N06LS3G详情
Infineon Technologies BS7067N06LS3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TSDSON-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Ta 20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta 78W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 35μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4800pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
20A
输入电容
4.8nF
最大rds
6.7 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
BS7067N06LS3G拓展信息
Infineon Technologies
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