Infineon Technologies BSC014N04LSTATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 115W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6020pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

32A

漏极-源极导通最大电阻

0.0019Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

170 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant