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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.240055
10
¥12.490618
100
¥11.783602
500
¥11.116606
1000
¥10.487363
Infineon Technologies BSC019N06NSATMA1
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- 对比
BSC019N06NSATMA1
1211-BSC019N06NSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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DIFFERENTIATED MOSFETS
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¥
总价: ¥
BSC019N06NSATMA1详情
Infineon Technologies BSC019N06NSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.3V @ 74μA
Power Dissipation (Max)
136W Ta
系列
OptiMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.95m Ω @ 50A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5.25nF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
77nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSC019N06NSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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