Infineon Technologies BSC020N03LSGATMA2
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BSC020N03LSGATMA2
1211-BSC020N03LSGATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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OPTIMOS 3 POWER-MOSFET
1最小包装量--
BSC020N03LSGATMA2详情
Infineon Technologies BSC020N03LSGATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
表面安装
YES
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
28A
漏极-源极导通最大电阻
0.0029Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
180 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSC020N03LSGATMA2拓展信息
Infineon Technologies
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