Infineon Technologies BSC022N03SG

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 104W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

50A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 110μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8290pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 5V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0033Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅