Infineon Technologies BSC059N03ST
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BSC059N03ST
1211-BSC059N03ST
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-Pin TDSON T/R
1最小包装量--
BSC059N03ST详情
Infineon Technologies BSC059N03ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Ta 89A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
48W
额定电流
50A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 35μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2670pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21nC @ 5V
上升时间
4.8ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
50A
输入电容
2.67nF
最大rds
5.5 mΩ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BSC059N03ST拓展信息
Infineon Technologies
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