Infineon Technologies BSC084P03NS3GATMA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.9A Ta 78.6A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.1V @ 105μA

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 69W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

已出版

2006

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4m Ω @ 50A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4785pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

上升时间

134ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

14.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大双电源电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅