Infineon Technologies BSC085N025S G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 52W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

140A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准