Infineon Technologies BSC090N03MSGXT
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BSC090N03MSGXT
1211-BSC090N03MSGXT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
BSC090N03MSGXT详情
Infineon Technologies BSC090N03MSGXT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
PG-TDSON-8-5
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A (Ta), 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 32W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
BSC090N03MSGXT拓展信息
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