BSC090N03MSGXT
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Infineon Technologies BSC090N03MSGXT

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型号

BSC090N03MSGXT

utmel 编号

1211-BSC090N03MSGXT

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

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BSC090N03MSGXT
BSC090N03MSGXT Infineon Technologies N-CHANNEL POWER MOSFET

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BSC090N03MSGXT详情

Infineon Technologies BSC090N03MSGXT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件包装

    PG-TDSON-8-5

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    12A (Ta), 48A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W (Ta), 32W (Tc)

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9mOhm @ 30A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1900 pF @ 15 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    24 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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技术文档: Infineon Technologies BSC090N03MSGXT.

BSC090N03MSGXT拓展信息

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