Infineon Technologies BSC096N10LS5ATMA1

工厂交货时间

13 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 36μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 83W Tc

系列

OptiMOS™ 5

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

终止次数

5

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.6m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2100pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

72A

漏极-源极导通最大电阻

0.0096Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

287A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

达到SVHC

compliant