Infineon Technologies BSC110N15NS5ATMA1
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BSC110N15NS5ATMA1
1211-BSC110N15NS5ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET N-CH 150V 76A 8TDSON
--最小包装量--
BSC110N15NS5ATMA1详情
Infineon Technologies BSC110N15NS5ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
PG-TDSON-8-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
76A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V 10V
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Turn Off Delay Time
14.5 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.6V @ 91μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
125W
接通延迟时间
10.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11mOhm @ 38A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2770pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
76A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
9mOhm
高度
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSC110N15NS5ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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