Infineon Technologies BSC152N10NSFGATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Ta 63A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

114W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2008

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

114W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.2m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 72μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

24ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

9.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

252A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准