Infineon Technologies BSC160N15NS5ATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

8V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

96W Tc

Turn Off Delay Time

10.8 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.6V @ 60μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

96W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 28A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1820pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23.1nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

56A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

224A

雪崩能量等级（Eas）

43 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant