Infineon Technologies BSC240N12NS3 G
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BSC240N12NS3 G
1211-BSC240N12NS3 G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
--最小包装量--
BSC240N12NS3 G详情
Infineon Technologies BSC240N12NS3 G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
37A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
66W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 31A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 35μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900pF @ 60V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
120V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
37A
漏极-源极导通最大电阻
0.024Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
148A
DS 击穿电压-最小值
120V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
RoHS状态
符合RoHS标准
BSC240N12NS3 G拓展信息
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