Infineon Technologies BSF077N06NT3GXUMA1

表面安装

YES

包装/外壳

3-WDSON

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 33μA

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 38W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta 56A Tc

已出版

2011

系列

OptiMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-MBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.7m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3700pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13A

漏极-源极导通最大电阻

0.0077Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

224A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

达到SVHC

compliant