Infineon Technologies BSK211P

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSK211P

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

TSOP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Risk Rank

5.84

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.075 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

28 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.25 W