Infineon Technologies BSL207SP
- 收藏
- 对比
BSL207SP
1211-BSL207SP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
--最小包装量--
BSL207SP详情
Infineon Technologies BSL207SP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
安装类型
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
已出版
2001
系列
OptiMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
41m Ω @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 40μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1007pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.041Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
24A
DS 击穿电压-最小值
20V
雪崩能量等级(Eas)
44 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BSL207SP拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。