Infineon Technologies BSO200P03SNTMA1
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BSO200P03SNTMA1
1211-BSO200P03SNTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO
1最小包装量--
BSO200P03SNTMA1详情
Infineon Technologies BSO200P03SNTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.56W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 9.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2330pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
54nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
7.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.02Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BSO200P03SNTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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