Infineon Technologies BSO203SPNTMA1
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BSO203SPNTMA1
1211-BSO203SPNTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET P-CH 20V 9A 8-Pin SO
1最小包装量--
BSO203SPNTMA1详情
Infineon Technologies BSO203SPNTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.35W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
21m Ω @ 9A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2265pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50.4nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
9A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏极-源极导通最大电阻
0.021Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36A
DS 击穿电压-最小值
20V
雪崩能量等级(Eas)
97 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BSO203SPNTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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