Infineon Technologies BSO613SPV

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.44A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

额定电流

-3.44A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 3.44A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

875pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

3.44A

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13.8A

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅