Infineon Technologies BSP123E6327T
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BSP123E6327T
1211-BSP123E6327T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
1最小包装量--
BSP123E6327T详情
Infineon Technologies BSP123E6327T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
370mA Ta
Power Dissipation (Max)
1.79W Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V 10V
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2003
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
100V
额定电流
380mA
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
70pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.4nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
370mA
输入电容
70pF
最大rds
6 Ω
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
无铅
BSP123E6327T拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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