Infineon Technologies BSP135L6433HTMA1
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BSP135L6433HTMA1
1211-BSP135L6433HTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223
1最小包装量--
BSP135L6433HTMA1详情
Infineon Technologies BSP135L6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V 10V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
28 ns
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2012
系列
SIPMOS®
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
5.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 94μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
146pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.9nC @ 5V
上升时间
5.6ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
182 ns
连续放电电流(ID)
120mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
146pF
场效应管特性
耗尽模式
最大rds
45 Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
BSP135L6433HTMA1拓展信息
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