Infineon Technologies BSP295E6327
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BSP295E6327
1211-BSP295E6327
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
1最小包装量--
BSP295E6327详情
Infineon Technologies BSP295E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
50V
额定电流
1.8A
功率耗散
1.8W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 400μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
368pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
1.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
368pF
最大rds
300 mΩ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BSP295E6327拓展信息
Infineon Technologies
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