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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.274166
10
¥4.975625
100
¥4.693988
500
¥4.428291
1000
¥4.177631
Infineon Technologies BSP300 E6327
- 收藏
- 对比
BSP300 E6327
1211-BSP300 E6327
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP300 E6327详情
Infineon Technologies BSP300 E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
190mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
255
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20 Ω @ 190mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
230pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.19A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
0.76A
DS 击穿电压-最小值
800V
雪崩能量等级(Eas)
36 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BSP300 E6327拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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