Infineon Technologies BSP321PL6327HTSA1
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BSP321PL6327HTSA1
1211-BSP321PL6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans MOSFET P-CH 100V 0.98A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
1最小包装量--
BSP321PL6327HTSA1详情
Infineon Technologies BSP321PL6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
980mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
900mOhm @ 980mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 380μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
319pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
980mA
输入电容
319pF
最大rds
900 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
BSP321PL6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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