Infineon Technologies BSP324L6327HTSA1

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

17 ns

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA Ta

已出版

2008

系列

SIPMOS®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

25 Ω @ 170mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 94μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

154pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.9nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

400V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

68 ns

连续放电电流(ID)

170mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.68A

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无