Infineon Technologies BSP373L6327HTSA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

85 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电压

100V

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 1.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550pF @ 25V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

1.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6.8A

宽度

6.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅