Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1
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BSP613PL6327HUSA1
1211-BSP613PL6327HUSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
1最小包装量--
BSP613PL6327HUSA1详情
Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.9A Ta
Turn Off Delay Time
26 ns
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
已出版
2003
系列
SIPMOS®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
6.7 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
875pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
2.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
875pF
最大rds
130 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
BSP613PL6327HUSA1拓展信息
Infineon Technologies
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