Infineon Technologies BSR315PL6327HTSA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 160μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

620mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 620mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

176pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

上升时间

28ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

620mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.62A

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant