Infineon Technologies BSR316PL6327HTSA1
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BSR316PL6327HTSA1
1211-BSR316PL6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
1最小包装量--
BSR316PL6327HTSA1详情
Infineon Technologies BSR316PL6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
360mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1V @ 170μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8 Ω @ 360mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
165pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 10V
上升时间
6ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
360mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSR316PL6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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