Infineon Technologies BSS119E6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

170mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 170mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

78pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.5nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

170mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.17A

漏极-源极导通最大电阻

10Ohm

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅