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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.351803
500
¥0.993974
1000
¥0.828313
2000
¥0.759919
5000
¥0.710205
10000
¥0.660655
15000
¥0.638935
50000
¥0.628252
Infineon Technologies BSS119NH7796
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- 对比
BSS119NH7796
1211-BSS119NH7796
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
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¥
总价: ¥
BSS119NH7796详情
Infineon Technologies BSS119NH7796重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
PG-SOT23-3-5
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 13μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20.9 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.6 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
BSS119NH7796拓展信息
Infineon Technologies
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