Infineon Technologies BSS123 E6433

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 170mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

69pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.67nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.17A

漏极-源极导通最大电阻

10Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant